SFP9530
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
--
I S
L
P-CHANNEL
POWER MOSFET
V GS
Driver
V GS
V GS
( Driver )
I S
( DUT )
R G
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by “R G ”
? I S controlled by Duty Factor “D”
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
V DD
10V
I FM , Body Diode Forward Current
V f
V DS
( DUT )
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
V DD
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SFP95N03L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic N-Channel MOSFET
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SFP9614 功能描述:MOSFET P-CH/250V/1.6A/4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFP9620 功能描述:MOSFET PCh/200V/3.5a/1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFP9624 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET (-250V, 2.4ohm, -2.7A)
SFP9630 功能描述:MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFP9630_Q 功能描述:MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube